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    这完全符合英特尔总裁罗伯特·诺伊斯的性格。

    从麻省理工博士毕业（肖克利是他前辈学长）的诺伊斯，是个有才华且自信的人。

    当年肖克利打电话邀请他参加面试，还不是正式录用，诺伊斯就立即辞去原来工作，携妻带子千里迢迢赶到帕洛阿托。

    他抵达硅谷后第一件事不是急着赶去面试，而是倾尽所有在肖克利实验室附近买下一套房子，把家人安顿好后再去正式应聘。

    几十年后，有记者询问诺伊斯为何会这么做，他的回答是：“因为我想不到任何不被聘用的理由。”

    牛人就是如此自信！

    诺伊斯也用事实证明了自己的才华，进入肖克利实验室不到一个月，他就向肖克利建议开展关于隧道二极管的研究，却被刚愎自用的肖克利严词拒绝，此事也就不了了之。

    就在一年后，时任SONY研究员的RB物理学家江崎玲于奈，发表了一篇关于PN结负阻特性的论文，在这篇论文里，江崎玲于奈用自己制造的二极管证明了半导体隧道效应理论。

    而这篇论文的研究方向，实验布置，同诺伊斯规划的几乎一模一样。

    1973年，江崎玲于奈凭借这篇论文获得诺贝尔物理学奖，诺伊斯与巨大的荣誉失之交臂。

    牛人终究是牛人。

    创立仙童半导体后，诺伊斯扬名立万的机会再次降临。

    当时仙童制造硅晶体管的流程是这样的：

    将提纯的硅晶切割打磨成适用的硅片，经过扩散、照相、掩膜、蚀刻等一系列化学物理工序，在一块硅片上生成上百个微小的晶体管，然后依靠大量人力对硅片进行切割，用镊子来连接导线，最后封装成独立的晶体管元器件，如二极管，三极管等等。

    1959年1月，诺伊斯突然产生一个想法：“既然可以在一块硅片上制造这么多的晶体管，为何不把相关连线甚至电容和电阻都一起做上去呢？这样完全可以用一块硅片制造出整个电路来！”

    这就是诺伊斯关于“集成电路”的最初设想，此时身为仙童总裁的他，完全有权限利用公司资源去很快实现这种设想。

    然而，诺伊斯性格中致命的懒散习性发挥了作用，或许其中也有肖克利几年强势领导带来的负面影响，没有迫切的推动力，他绝不会急着去主动发明创造。
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